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IC・電子部品 2016.08.31

カーボンナノチューブ利用の不揮発性メモリのライセンス供与と共同開発

基板の窓口編集部

カーボンナノチューブ利用の不揮発性メモリのライセンス供与と共同開発

富士通セミコンダクター(株)および三重富士通セミコンダクター(株)は、米国Nantero,Inc.のカーボンナノチューブ(Carbon Nanotube)を利用した不揮発性メモリ「NRAM」のライセンスを受けるとともに、55nmテクノロジーでの商品化に向けて3社で共同開発することに合意した。

3社は、組み込み型Flashメモリ比で数千倍の書き換え耐性/書き換えスピードの実現と、将来的には不揮発性メモリによるDRAMの置き換えを目指し、不揮発性メモリ「NRAM」の開発を進めていく。富士通セミコンダクターは、2018年末までにNRAM混載カスタムLSIを商品化し、その後、単体NRAM製品にラインナップを広げていく。また、ウエハファウンドリ会社(製造受託会社)である三重富士通セミコンダクターは、ファウンドリ顧客向けにNRAMベースのテクノロジーを提供する予定。

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